天气 
2025-07-31
国产类CoWoS封装技术崛起 千亿资本涌入赛道！近年来，AI芯片的持续火热推动了高带宽存储（HBM）需求激增。HBM与AI芯片的高效集成高度依赖CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）封装技术。作为先进封装领域的关键技术，CoWoS正成为全球半导体产业竞争的核心焦点，国产类CoWoS技术的崛起有望吸引千亿级资本涌入这一赛道。
CoWoS是台积电研发的革命性封装技术，其核心价值在于能在极小空间内实现多功能芯片的高效集成，通过异构器件的拼接与堆叠显著提升芯片性能。例如，HBM与AI芯片的结合若缺乏CoWoS结构，HBM在芯片上的布局将无从实现。从英伟达H100到AMD MI300，全球顶级AI芯片几乎都依赖这项技术。
CoWoS的技术思路与英特尔的Foveros、学术界的Hybrid Bonding相通，核心难点在于“CoW”（Die-to-Wafer，芯片-晶圆键合）环节。其技术原理为：在基板上增加一层硅中介层，芯片通过覆晶方式正面朝下连接至中介层，由中介层承担芯片间及芯片与基板的互连。由于硅中介层采用芯片级工艺制造，布线密度可低至10μm以下，能实现芯片的紧密堆叠。
目前，全球先进AI芯片的CoWoS服务几乎由台积电垄断。Yole数据显示，先进封装市场未来几年复合增速将达40%，其中3D封装增速超100%，且近40%的HBM未来将依赖混合键合封装，硅光高速互连也将融入这一技术体系。台积电计划在2024年将CoWoS产能提高到每月36000片，到2026年时达到13万片每月。不仅要提高产能，还要拓展CoWoS技术，在2027年实现超大版晶圆上芯片 (CoWoS) 封装技术的认证，一次性能够提供九个光罩尺寸的中介层和12个HBM4内存堆栈。
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